9月28日訊息，國產半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓工藝解決方案的領先供應商——盛美半導體裝置（上海）股份有限公司（以下簡稱“盛美上海”）今日宣佈其對300mm Ultra Fn立式爐幹法工藝平臺進行了功能擴充套件，研發出新型Ultra Fn A立式爐裝置。該裝置的熱原子層沉積（ALD）功能豐富了盛美上海立式爐系列裝置的應用。公司還宣佈，首臺Ultra Fn A立式爐裝置已於本月底運往中國一家先進的邏輯製造商，並計劃於2023年底透過驗證。

盛美上海董事長王暉表示：“隨著邏輯節點的不斷縮小，越來越多的客戶為滿足其先進的工藝要求，努力尋找願意合作的供應商共同開發。ALD是先進節點製造中增長最快的應用之一，是本公司立式爐管系列裝置的關鍵性新效能。得益於對整個半導體制造工藝的深刻理解和創新能力，我們能夠迅速開發全新的溼法和幹法裝置，以滿足新興市場的需求。全新ALD立式爐裝置基於公司現有的立式爐裝置平臺，搭載差異化創新設計，軟體演算法最佳化等實現原子層吸附和均勻沉積。”

盛美上海新型熱ALD裝置可沉積氮化矽（SiN）和碳氮化矽（SiCN）薄膜。出廠的首臺Ultra Fn A裝置將用於28奈米邏輯製造流程，以製造側壁間隔層。此工藝要求刻蝕速率極低，且臺階覆蓋率良好，與其他實現模式相比，Ultra Fn A立式爐裝置在模擬中實現了均一性的改善。

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