近日，由兩位諾貝爾物理學獎獲得者領導的曼徹斯特大學的研究團隊，在石墨烯基超晶格中發現了一種新的準粒子家族 “布朗 - 扎克費米子”（Brown-Zak fermions）。該研究以《石墨烯超晶格中布朗 - 扎克費米子的遠距離彈道傳輸》為題發表在
Nature Communications
上。論文作者包括 Andre Geim 和 Konstantin Novoselov 這兩位諾貝爾物理學獎獲得者。
據悉，石墨烯是一種只有一個碳原子厚度的二維材料。此前，Andre Geim 和 Konstantin Novoselov 用微機械剝離法成功從石墨中分離出石墨烯，藉此共同獲得 2010 年諾貝爾物理學獎。其中，Andre 還是世界上唯一一個同時獲得過諾貝爾獎和搞笑諾貝爾獎的科學家。
這項工作在石墨烯基材料中發現了新的準粒子家族，這些非同尋常的粒子被稱為 Brown-Zak 費米子，它們具有超高頻電晶體，有可能實現 2D 材料重大突破，使用這種材料製成的處理器可以在單位時間內進行更多的計算，從而使計算機速度更快。
圖| 相關論文釋出於最新一期的 Nature Communications
新的準粒子家族：“布朗 - 扎克費米子”
該團隊透過將石墨烯層的原子晶格與絕緣氮化硼片的原子晶格對齊，顯著地改變了石墨烯片的特性，實現了這一突破。
這項研究是繼多年來石墨烯/氮化硼超晶材料連續取得進展後，得以觀察到一種被稱為霍夫斯塔德蝶（Hofstadter‘s butterfly）的分形模式，11 月 13 日研究人員報告了這種結構中的粒子在外加磁場下的另一種非常令人驚訝的行為。
在零磁場中，電子以直線軌跡運動，如果你施加磁場，電子就會開始彎曲，並以圓周運動。
研究人員在已經與氮化硼對齊的石墨烯層中，電子也開始彎曲，但如果你將磁場設定在特定的數值，電子又會以直線軌跡移動，就好像沒有磁場了一樣，這種行為違背了教科書上物理學。
研究人員將這種奇特的行為歸功於高磁場下新型準粒子的形成。這些準粒子有自己獨特的特性，儘管磁場極高，但卻有特別高的遷移率。
如本次論文所述，這項研究描述了電子在超高質量石墨烯超晶格中的行為，並對霍夫斯塔德蝶的分形特徵修訂了框架。在過去十年中，石墨烯器件製造和測量技術的根本性改進使得這項工作成為可能。
霍夫施塔特蝴蝶
在凝聚態物理學中，霍夫施塔特蝴蝶描述了晶格磁場中非相互作用二維電子的光譜特性。
它在整數量子霍爾效應理論和拓撲量子數理論中起著重要作用。
這種光譜的分形、自相似性質由霍夫施塔特在 1976 年的博士論文中提出，是計算機圖形學的早期案例之一。
準粒子的概念是凝聚態物理學和量子多體系統中最重要的概念之一。它由理論物理學家 Lev Landau 在 20 世紀 40 年代提出的，用來描述集體效應為 “單粒子激發”，其被用於一些複雜系統中，用以解釋多體效應。
截止目前，石墨烯超晶格中集體電子的行為被認為是狄拉克費米子（Dirac fermion），這種準粒子具有類似光子（無質量的粒子）的獨特性質，在高磁場下可以複製。然而，這並不能解釋一些實驗特徵，例如狀態的附加簡併性，也不符合這種狀態下準粒子的有限質量。
論文中提出” 布朗・扎克費米子” 是強磁場下存在於超晶格中的準粒子族。其特點是有一個新的量子數，可以直接測量。有趣的是，在較低的溫度下工作使他們能夠透過超低溫下的交換相互作用來提升簡併性。
施加磁場的情況下，石墨烯中的電子開始以量子化的軌道旋轉。對於布朗 - 扎克費米子，實驗人員設法在高達 16T（地球磁場的 50 萬倍）的高磁場下恢復了數十微米的直線軌跡。
但是，如果將磁場設定為特定值，電子將再次沿直線軌跡移動，就好像不再有磁場一樣，這種行為與教科書中的物理學完全不同。
超大型石墨烯器件
在電子系統中，遷移率被定義為一個粒子在應用電流時的移動能力。在製造石墨烯等二維繫統時，高遷移率長期以來一直科研界所追求的，因為這種材料將呈現額外的特性（整數和分數量子霍爾效應），並有可能允許製造超高頻電晶體，即計算機處理器的核心部件。
研究人員表示，為了該項研究，他們製備了純度非常高的特大型石墨烯器件。這使其能夠實現幾百萬釐米 ²/Vs 的遷移率，這意味著粒子將直接穿過整個裝置而不會散射。重要的是，這不僅是石墨烯中經典狄拉克費米子的情況，而且也實現了研究中報告的布朗 - 扎克費米子。
這些布朗 - 扎克費米子定義了新的金屬態，這種金屬態通用於任何超晶格系統，而不僅僅是石墨烯，併為其他基於二維材料的超晶格中新的凝聚態物理問題提供了一個思路。
這些發現於電子傳輸的基礎研究很重要，但研究人員相信，在高磁場下了解新型超晶格器件中的準粒子可以導致新電子器件的發展。
圖| 該研究團隊成員
高遷移率意味著用這種器件製成的電晶體可以在更高的頻率下工作，使用這種材料製成的處理器可以在單位時間內進行更多的計算，從而使計算機速度更快。應用磁場通常會降低遷移率，使這種器件無法用於某些應用。可以說，布朗 - 扎克費米子在高磁場下的高遷移率為在極端條件下工作的電子器件開闢了新前景。