《炬豐科技-半導體工藝》用於化合物半導體應用的絕緣體上矽襯底 TAG: SOI氮化HRSisi襯底2022-01-094GHz射頻測量使SOI和HRSi襯底MISHEMTs的最大輸出功率分別為660mW/mm和550mW/mm[…]閱讀全文