2022年6月22日－NSD1624是納芯微最新推出的非隔離高壓半橋驅動晶片，

驅動電流高達+4/-6A

，可用於驅動MOSFET/IGBT等各種功率器件。

可廣泛應用於

 光伏、儲能等新能源領域

 空調壓縮機、工業電機驅動

 高效高密度工業、通訊、伺服器電源

 半橋、全橋、LLC電源拓撲

如下圖NSD1624功能框圖所示，納芯微創新地將隔離技術方案應用於高壓半橋驅動中，使得高壓輸出側可以承受高達1200V的直流電壓，同時SW pin可以滿足高dv/dt和耐負壓尖峰的需求。可適用於各種高壓半橋、全橋、LLC電源拓撲上。

NSD1624輸入邏輯可相容TTL/CMOS，方便控制。高壓側和低壓側均具備獨立的供電欠壓保護功能（UVLO），能在10~20V電壓範圍內工作。此外，NSD1624可提供

SOP14，SOP8，LGA 4*4mm多種封裝形式

。

NSD1624功能框圖

NSD1624簡化應用電路

解決高壓、高頻系統中SW pin負壓和高dv/dt的痛點

圖一：半橋驅動IC典型應用電路圖示

圖二：Q1、Q2管子開關過程中，SW產生震盪和負壓

上圖一所示是半橋驅動IC非常典型的應用電路。在Q1、Q2管子開關過程中，SW 會產生一定程度的震盪，同時會有負壓產生，如上圖二所示。如果驅動IC SW pin 耐負壓能力比較低，就會導致IC損壞。

SW pin 產生震盪和負壓的原因是：

當上管關閉時，由於負載呈感性，電流不能突變，電流便會從GND 透過下管的體二極體進行續流，如圖一的紅色箭頭方向所示。在真實電路中，該電流路徑上許多地方會存在寄生電感，如圖一的綠色電感。

SW 的電壓 Usw=-Lss * （di/dt），透過公式可以看出，續流電流透過路徑中的寄生電感，會在SW上產生負壓。如果負載電流越大，開關頻率越高，即di/dt 大，同時電路中寄生電感越大，即Lss 值越大，則SW產生的震盪和負壓就會越大，就會越容易損壞驅動IC。

此外，開關頻率越大，SW產生的dv/dt就越大。如果選擇的驅動IC dv/dt 抗干擾能力不足，便會導致驅動IC內部邏輯錯誤，可能會使得驅動IC的HO 和 LO同時輸出高電平，使得上下管同時開啟，造成短路，甚至燒壞管子。

納芯微創新地將隔離技術方案應用於NSD1624 高壓半橋IC中，很好解決了上述問題，即：SW pin負壓和高dv/dt的痛點。該創新技術，使得NSD1624 SW pin 電壓能夠承受高達±1200V，可以承受非常高的負壓；同時dV/dt抗干擾能力超過100kv/us。因而 NSD1624 非常適合高頻、高壓、高可靠性的應用場景，符合電源行業發展的趨勢。