哲客資訊

從年報資料預測價格來看，相比其他公司，時代電氣、BYD半導、斯達半導這三家以IGBT模組 為主營業務的公司均價都在高於百元的量級，而主營MOSFET、閘流體、二極體等功率器件業務的公司均價 都在個位數水平[…]

光隔離探頭與高壓差分探頭波形對比原因 6：測量點離器件引腳根部過遠當我們測量驅動電壓波形時，探頭並不能直接接 觸 到 SiC MOSFET 芯 片， 而 只 是 能 接 到 器件的引腳上[…]

據悉，意法半導體和賽米控的工程師合作將先進的STPOWER SiC MOSFET與賽米控創新的全燒結直壓模具（DPD）組裝工藝整合在一起，其中STPOWER SiC MOSFET可控制電動汽車主驅逆變器中的功率開關，而DPD可增強模組的效能[…]

據悉，SIC功率器件的主要應用包括光伏逆變器、電動汽車驅動電機和快速充電樁等，隨著國內電動汽車的滲透率快速提升和能源結構電氣化轉型，2020年到2025年中國SiC市場的複合增長率將超過40%[…]

採用低電感封裝，充分發揮SiC器件效能備註： 現有產品是指使用2個本公司生產的IGBT模組功率損耗比較三菱SiC功率器件的研發與搭載該器件的產品備註：*1：截至公告發布時，由三菱公司調查*2：截至2018年4月正在研發中[…]

圖源：BusinessKorea集微網訊息，法國半導體材料大廠Soitec宣佈，將在其位於法國伯寧的總部建立一個新的製造工廠，主要生產其創新的SiC襯底，以應對電動汽車和工業市場的關鍵挑戰[…]

管路04對照實驗組設定對照組：單一光伏發電系統實驗鍍鋅鋼質罐與管路均用水的PVT系統，進行實驗鍍鋅鋼製儲罐放石蠟與管路用水的PVT系統，進行實驗鍍鋅鋼製儲罐放加入SiC奈米顆粒的石蠟與管路用SiC奈米流體的PVT系統，進行實驗05結果分析該[…]

因而，車規級產品也成為半導體行業各公司發力的重點領域，本次華潤微釋出的SiC MOS新品，即可應用於新能源汽車OBC及充電樁[…]

今天，高意（II-VI）宣佈，已成為東莞天域半導體主要戰略合作伙伴，為其提供用於電力電子的150毫米碳化矽（SiC）基片[…]

近日，意法半導體宣佈，與科學技術研究局（A*STAR）微電子研究所（Institute of Microelectronics，IME）開展研發（R&D）合作，發展汽車和工業市場領域的功率電子裝置用SiC[…]

Source：UnitedSiC官網據報道，在收購之後，UnitedSilicon Carbide 將成為 Qorvo 基礎設施和國防產品 （IDP） 業務的一部分，由 Chris Dries 博士領導，Chris Dries 博士曾任 U[…]

高鋁質材料（鉻剛玉製品）的發展方向是把Cr2O3的含量增加到10%和30%，把SiO2的含量降低到小於2%以改進製品的抗侵蝕性，但隨著Cr2O3含量的增加，大量3價穩定的鉻在高溫區域與渣中的CaO、Na2O、K2O等鹼類相反應，生成對人體有[…]

本體部分與之前發售的基礎形態對比，不難看出，這款火箭形態僅在原先基礎上更改了部分配色，並替換了腰帶上的開關，這下連SIC都開始玩同模換色大法了嗎[…]

目前全球主要功率半導體廠商紛紛加大對SiC的佈局投入，包括碳化矽國際標杆企業美國科銳（Cree）公司，以及美國貳陸公司（II-VI）、日本羅姆等國際大廠都公佈了各自的擴產計劃，預計2022年前後產能將逐步釋放[…]

從屈興國的介紹中我們得知，目前東芝能提供多樣化的功率器件產品，當中最值得一提的就是他們的IEGT和SiC產品[…]

同時，天嶽還牽頭承擔了國家高技術研究發展計劃（863 計劃）“高質量第三代半導體材料關鍵技術”主題專案中的“6英寸SiC 襯底製備及同質外延技術研究”課題[…]

新產品特點●損耗比以往IGBT產品低67％，為普及中的車載電子裝置和工業裝置提供更高性價比“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反饋單元（續流二極體）中採用了ROHM的低損耗SiC SBD[…]

作者：黃鶯美國Cree公司首席智慧財產權顧問Garceran近日在參議院舉辦的提升專利質量聽證會上，介紹了他在Cree的十六年間，帶領Cree將專利數量從270項發展到2500項，他認為專利對Cree的成功發揮了至關重要的作用，Cree嚴重[…]