集微網訊息（文/林雪瑩）5月27日，微容科技發文稱，公司再獲得國家智慧財產權局授權的一項發明專利，名為“一種間接檢測MLCC介質陶瓷晶格缺陷的方法”。近兩個月時間內，微容已獲兩項發明專利，見證了微容科技在MLCC研發領域中尖端技術的不斷突破以及大力投入技術研發的戰略佈局。

MLCC行業現階段普遍使用賤金屬內電極技術在中性或還原性氣氛進行燒結，容易產生MLCC介質陶瓷晶格缺陷，導致MLCC的絕緣阻值劣化，影響了MLCC的可靠性。現有檢測技術是透過X射線光電子能譜分析測定，但該方法操作複雜且不夠直觀。

在微容研發團隊不懈努力下，發明了一種間接檢測MLCC介質陶瓷晶格缺陷的方法：用特定測試條件，在不同時間間隔對待測品的電流取值，計算各時刻的絕緣阻值，經歷10~200h絕緣抵抗IR趨於穩定無繼續下降趨勢，間接證明介質陶瓷晶格缺陷補充充分。

區別於現有技術，這種檢測方法所用檢測裝置簡單，易於操作，測試結果直觀且產品可靠性更高，經過測試篩選的產品在後期使用上問題率更低。

微容科技基於對高階產品的堅定定位，持續專注地實施研發，將公司的技術研發實力提升到新水平，在中國電子元件協會公佈的2021年百強企業中，微容科技研發實力位列國內200多家電子元件企業中的第五位。

微容科技表示，良好的研發實力和對產品的專注，讓微容在高階MLCC的研發和量產上實現高效能突破，高容量和車規MLCC實現系列化量產，大大提升了公司產品競爭力，帶領公司進入高階MLCC的主流廠商陣容。

（校對/Andy）