近日，為全面推進杭州市積體電路產業高質量發展，杭州市人民政府釋出《關於促進積體電路產業高質量發展的實施意見》（以下簡稱“《實施意見》”）。
Source：杭州市人民政府官網截圖
《實施意見》指出杭州市未來五大發展目標，分別為產業能級倍增、空間佈局合理、新能力提升、平臺服務強化、產業風險可控。
產業能級倍增。
打造長三角積體電路核心城市，會同寧波市、紹興市、嘉興市協同打造環杭州灣積體電路核心產業集聚區。到2025年，積體電路產業規模實現800億元、衝刺1000億元，年均增長20%；培育營收百億元企業1—2家、50億元企業3家以上、10億元企業10家以上；在設計製造、化合物半導體、半導體核心材料、關鍵裝置及零部件等領域，培育一批“專精特新”中小企業。
空間佈局合理。
打造“一核一廊多點”空間格局。“一核”即濱江創新核，強化國家積體電路設計杭州產業化基地和杭州國家“芯火”雙創基地作用，打造高階晶片產業優質生態。“一廊”即城西科創大走廊，充分發揮大走廊體制優勢，會同拱墅、臨平等地，在高階晶片、核心材料、關鍵裝置、支撐軟體等領域形成一批重大創新成果。“多點”即以錢塘區、蕭山區、富陽區、桐廬縣、餘杭區為重點，引培重大製造產線，推進重大專案建設，打造國家級特色工藝半導體制造基地，爭創省級萬畝千億產業平臺。
創新能力提升。
到2025年，在人工智慧晶片、視覺處理晶片、伺服器晶片、車規級晶片、量子計算晶片、類腦計算晶片、化合物半導體等前沿領域形成一批創新成果，積體電路重點企業研發費用佔營業收入比超5%。
平臺服務強化。
培育積體電路叢集促進機構，加強平臺服務功能，支援龍頭企業建立高階晶片、特色工藝、化合物半導體等技術研發中心，每年新增企業研發機構5家（含）以上。
產業風險可控。
落實國家積體電路重大專案行業指導制度。規範市域專案佈局，集中資源支援高階專案，避免重複建設一般專案。壓實重大專案市場主體責任，嚴格落實國家動態監管要求，加強專案全生命週期管理。
《實施意見》明確了五項重點任務，包括實施高階設計引領行動、實施特色製造提升行動、實施特色製造提升行動、實施平臺能級躍升行動、實施長三角協同攻關行動。
實施高階設計引領行動。
推進積體電路高階晶片研發計劃和產業鏈協同創新專案，大力發展高階模擬晶片和數模混合晶片。以濱江區、城西科創大走廊、臨平區為重點，提升發展射頻感測器、基帶、交換、光通訊、顯示驅動、電源管理、RISC-V、物聯網智慧硬體、車規級、FBAR濾波器、存算一體等新型專用晶片；創新發展嵌入式系統、儲存器、處理器、伺服器等高階通用晶片；培育發展類腦計算、邊緣計算、量子計算、柔性電子、化合物半導體等前沿技術產品。
實施特色製造提升行動。構建特色工藝晶片製造產線，培育百億級鏈主企業。支援採取CMOS、MOSFET等工藝技術，發展IGBT、智慧感測器、MEMS、FinFET、半導體鐳射器、光電器件等產品。支援氮化鎵、碳化矽、砷化鎵、磷化銦、氮化鋁等化合物半導體專案建設。以錢塘區、蕭山區、富陽區、桐廬縣、餘杭區為重點，支援成熟製程成套工藝晶片製造產線專案。支援城西科創大走廊規劃建設高階儲存重大專案。
實施關鍵材料裝置攻關行動。
以濱江區、錢塘區、富陽區、臨安區、蕭山區、餘杭區、臨平區、建德市為重點，支援大尺寸矽片等關鍵材料的研發攻關；提升光刻膠、高純化學試劑、電子氣體、功能高分子材料等的自給率和本地化配套率；提高電路測試、分選、超潔淨流控系統、半導體外延、化學機械平坦化拋光等裝置的研製能力，突破一批關鍵核心技術。
實施平臺能級躍升行動。
提升杭州國家“芯火”雙創基地、浙江省積體電路創新中心、錢塘芯谷、鎵谷射頻產業園、臨安雲製造小鎮、杭州積體電路測試服務中心等平臺的運營服務水平，促進創新基地、研發平臺和產業基地的聯動發展。依託骨幹企業、科研院所構建中小企業孵化平臺，為初創企業提供技術開發、信貸融資、市場推廣、法律訴訟、智慧財產權等指導服務。
實施長三角協同攻關行動。
探索長三角協同攻關“揭榜掛帥”機制，推動長三角區域晶片、軟體和終端企業多方聯動，圍繞終端系統需求部署開展協同攻關，構建自主可控IP核佈局。打造長三角“芯機聯動”對接平臺，支撐重大應用場景的開發。
在政策措施方面，《實施意見》中指出，要組織積體電路領域重大科技攻關。圍繞積體電路核心器件、高階晶片、關鍵材料、核心裝置、EDA工具等，開展市級重大科技攻關。鼓勵企業牽頭承擔國家、省技術攻關任務，對獲批國家、省重大專案的，按照有關政策給予支援。鼓勵企業申報“中國芯”等行業獎項。
要加大首次流片、關鍵材料、核心裝置和EDA工具的支援。對重點支援領域的高階晶片產品，首次流片費用1000萬元以上的，按照不超過其流片費用的15%給予補助，最高補助2000萬元；對積體電路關鍵材料、核心裝置等自主研發投入5000萬元以上並實現實際銷售的，按照不超過其研發投入的15%給予補助，最高補助5000萬元；對開展EDA工具技術攻關，自主研發投入1000萬元以上並實現實際銷售的，按照不超過其自主研發投入的15%給予補助，最高補助2000萬元。
要支援公共平臺建設。對提供EDA工具和IP核、設計解決方案、先進工藝流片、先進封測服務、測試驗證等裝置，用於高階晶片支撐服務的積體電路公共技術平臺，其實際建設投入在5億元以上的，完工後按投資額的6%給予補助，最高補助5000萬元。對公共服務平臺（機構）按其服務中小企業收入的10%給予補助，最高補助1000萬元。支援本市積體電路產業平臺服務長三角企業技術研發和產業合作。（文：全球半導體觀察）
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