近日，微電子所微電子器件與整合技術重點實驗室在SOT型磁性儲存器（MRAM）研究領域取得新進展。微電子所在實現低功耗、高穩定的資料寫入操作有重大突破。

據悉，微電子所微電子器件與整合技術重點實驗室自2019年設立磁儲存及自旋電子器件研究方向以來，主要集中在從物理機理的角度解決限制MRAM發展的關鍵技術問題。

值得一提的是，MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory） 是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機儲存器。它擁有靜態隨機儲存器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態隨機儲存器（DRAM）的高整合度，而且基本上可以無限次地重複寫入。

根據智慧芽資料顯示，截至最新，磁性隨機儲存器在126個國家/地區中，共有131418件專利申請。值得注意的是，磁性隨機儲存器的專利申請排名榜單中，三星電子株式會社以12，471件專利位列第一；美光科技公司以7，733件專利位列第二；高通股份有限公司以7，469件專利位列第三；愛思開海力士有限公司、英特爾公司、微軟技術許可有限責任公司、株式會社東芝、亞馬遜科技公司等公司均進入該技術領域TOP10。

（備註：智慧芽全球專利資料庫收錄資料包括126個國家/地區中已經公開的專利，一般來說，專利從申請到公開可查詢，需要4到18個月）