聞泰科技安世半導體 11kW GaN 車載無線充電控制器亮相進博會
作為三代半車規級功率氮化鎵場效電晶體的供應商，安世半導體的第三代半導體 GaN 產品特別針對新能源汽車電驅及高壓充電系統，目前已在全球範圍內與眾多行業頭部 Tier1 展開合作[…]
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被能源巨頭“盯”上的GaN新貴
（ii） 協鑫集團及宏光半導體將在境內成立新能源合營公司佈局GaN晶片在新能源領域的應用，包括但不限於充電╱換電技術及裝置，儲能技術及相關設施，分散式光伏逆變器等[…]
閱讀全文直擊調研 | 賽微電子(300456.SZ)：已具備6-8英寸GaN外延材料生長能力 正在推動山東GaN產線建設
針對明年的資本支出情況，賽微電子表示，由於北京FAB3在今年已經開始了二期產能的擴產投資，且德國FAB5的收購未能如願，公司明年的資本支出相比今年可能會少一些，但預計也會在差不多的水平，最終情況如何還是受到多方面因素的影響，比如瑞典FAB1[…]
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聚燦光電：現有國產與進口光刻機均可支撐產品升級需求
展望未來，聚燦光電錶示，未來2-3年，公司將繼續秉承既定的“聚焦資源、做強主業”的發展戰略，深化落實“調結構、提效能、降成本、創效益”的經營策略，深耕LED外延片、晶片主業，調結構、提效能、降成本、創效益，尤其是加強技術創新、加大研發投入實[…]
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TI芯科技賦能中國新基建之新能源汽車充電樁
充電樁的直流模組可以透過提高功率密度和提高充電電壓兩個方向升級，前者需要高效能實時微控制器和支援更高開關頻率的功率器件，而後者需要的是功率器件更高耐壓以及更高的轉換效率更高，第三代寬禁帶半導體功率器件將會是很好的選擇[…]
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全球首條產線!這一獨角獸量產8英寸氮化鎵晶片 大基金總裁點評:重要里程碑
英諾賽科成立於2017年，是一家致力於第三代半導體矽基氮化鎵研發與產業化的高科技企業，採用IDM全產業鏈模式，集晶片設計、外延生長、晶片製造、測試與失效分析於一體，產品涵蓋30-900V功率半導體器件、IC及射頻RF器件，是全球唯一能夠同時[…]
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DALL-E、“女媧”刷屏背後，多模態影象合成與編輯領域進展如何？
com/fnzhan/MISE該論文首先介紹影象合成和編輯中不同型別的指導模態，並使用詳細的框架廣泛地描述多模態影象合成和編輯方法，包括生成對抗網路（GAN）、GAN 反轉、Transformer、NeRF、擴散模型等[…]
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氮化鎵正在改變世界，中國企業發力強勁
圖5 氮化鎵領域國外企業代表（來源：智慧芽整理）圖6 氮化鎵領域中國企業代表（來源：智慧芽整理）在這些企業中，日本住友全球率先量產氮化鎵襯底，是全球氮化鎵射頻器件主要供應商，同時也是華為GaN射頻器件主要供應商之一[…]
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冷知識普及：大家都在吹的第三代半導體，到底是什麼玩意？
第二代半導體，化合物時代來臨之前說過了，當計算機業和電子業發展到一個地步的時候，矽或者說矽的問題就顯現出來了，物理極限的問題我們現在都知道，廠商一直追求的能耗比其實已經說明了問題，所以大家都在尋找矽之外的材料來繼續發展半導體行業[…]
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出貨3000萬顆、榮登納斯達克！GaN賽道如何成就“隱形冠軍”？
納微半導體銷售營運總監李銘釗Edwin道出了實情：“同樣的體積，同樣的充電速度，用矽的方案來做成本非常貴，利用氮化鎵，系統待機節約20%左右[…]
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蘋果上架首款GaN充電器，GaN快充時代已來
近日，據The Verge報道，蘋果公司向其證實，新上架的140W USB-C電源介面卡是蘋果首款氮化鎵（GaN）充電器，售價729元[…]
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聞泰科技：預計全年規劃資本支出超18億元，在半導體業務樹立宏偉戰略目標
在化合物半導體產品方面，目前氮化鎵已推出矽基氮化鎵功率器件（GaN FET），已透過AEQC認證測試並實現量產，碳化矽技術研發也進展順利，碳化矽二極體產品已經出樣[…]
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雷建明博士：GaN功率開關器件及其高頻電源應用
會上，南京工業職業技術大學雷建明博士做了題為“GaN功率開關器件及其高頻電源應用”的主題報告，報告從器件、驅動、控制、拓撲電路等方面全方位介紹針對性解決方案，重點討論新型器件工藝與結構、矩陣式高頻平面變壓器、智慧監管三大核心技術，旨在實現超[…]
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CASICON 2021前瞻：GaN基VCSEL技術進展
2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit嘉賓：龔平——西安唐晶量子科技有限公司董事長報告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術嘉賓：紐應喜——啟迪半導體研發總監報告：碳化[…]
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CASICON 2021前瞻：量產高效能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術
2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit嘉賓：黃潤華——中電科五十五所副主任設計師報告：碳化矽MOSFET技術問題及55所產品開發進展嘉賓：龔平——西安唐晶量子科技有限公司董事長報告：6 i[…]
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CASICON 2021前瞻：SiC功率器件先進封裝材料及可靠性最佳化設計
2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit嘉賓：黃潤華——中電科五十五所副主任設計師報告：碳化矽MOSFET技術問題及55所產品開發進展嘉賓：龔平——西安唐晶量子科技有限公司董事長報告：6 i[…]
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CASICON 2021前瞻：AlNAlScN材料製備技術及其在5GRFFE濾波及功率器件等領域應用前景展望
2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit嘉賓：龔平——西安唐晶量子科技有限公司董事長報告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術嘉賓：紐應喜——啟迪半導體研發總監報告：碳化[…]
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它擁有指數級演算法優勢，我們在本源司南上證明了這一點！
“本源QGAN應用”加速實現破損圖片修復本源量子團隊基於自研的量子機器學習框架VQNet，在量子作業系統本源司南上執行驗證了QGAN量子破損影象修復應用，該應用透過量子與經典混合演算法，實現對破損影象的修復操作，展現了量子計算機上的生成對抗[…]
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不得了！國產GaN又打破記錄
而且MOCVD通常使用氫氣作為載氣，這會顯著提高GaN分解速率，這也這導致襯底表面明顯粗糙，增加了外延層的位錯密度和表面粗糙度[…]
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氣派科技：目前訂單飽滿，產能飽和
目前，氣派科技透過持續的研發投入，開發出了國內首款5G MIMO 基站GaN 微波射頻功放塑封封裝產品，量產並大量運用於5G基站[…]
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